恩智浦最新一代低VCEsat晶体管可将功耗降低80%

时间:2019-03-26 09:39:40 来源:固阳门户网 作者:匿名
  

恩智浦半导体(NXP)最近发布了最新一代低VCEsat晶体管,与传统晶体管相比,可降低80%的功耗。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60 mW),高电路效率和低能耗,并减少便携式电池供电产品,如笔记本电脑,PDA和热量数码相机)。 BISS双极晶体管还可用于需要低等效导通电阻的工业和汽车应用中。

第三代BISS晶体管的最大集电极电流为5.8安培,采用网状发射器技术来降低RCEsat,提供更高的电流容量和超低的VCEsat。 BISS晶体管可用于提高各种应用的效率,例如中功率DC/DC转换器,负载开关,高侧开关,电机驱动器,背光逆变器应用和频闪闪光灯单元以及电池充电器。恩智浦目前在批量生产中拥有120多个BISS晶体管。

可用性

目前有三种塑料低VCEsat BISS晶体管:SOT457(六脚),SOT89(三线,带有良好传热的集电极垫)和SOT223(带有更多散热片的四线)。